强流脉冲电子束诱发纯镍表层纳米结构的形成机制

• 作者: 关庆丰 朱健 王雪涛 程秀围 程笃庆 邱东华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强流脉冲电子束 纳米结构 多晶纯镍 位错墙
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 7300-7306
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.106

摘要

利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯镍进行了表面处理,并采用扫描电镜和透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面及亚表面的微观组织结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后表面熔化,形成了深度约为2μm的重熔层,快速的凝固使重熔层中形成晶粒尺寸约为80 nm的纳米结构.位于轰击表面下方5-15μm深度范围内强烈塑性变形引起的位错墙和其内部的亚位错墙结构是该区域的主要结构特征.这些缺陷结构通过互相交割细化晶粒,最终导致尺寸约为10 nm的纳米晶粒的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健	江苏大学材料科学与工程学院	19	107	5.0	9.0
2	关庆丰	江苏大学材料科学与工程学院	60	362	11.0	15.0
3	王雪涛	江苏大学材料科学与工程学院	6	81	5.0	6.0
4	程秀围	江苏大学材料科学与工程学院	4	63	4.0	4.0
5	程笃庆	江苏大学材料科学与工程学院	4	73	4.0	4.0
6	邱东华	江苏大学材料科学与工程学院	1	23	1.0	1.0