强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构

• 作者: 关庆丰 朱健 王雪涛 程秀围 程笃庆 邱冬华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强流脉冲电子束 多晶纯铝 空位簇缺陷 堆垛层错四面体
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 4846-4852
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.073

摘要

利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯铝样品进行辐照,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的空位簇缺陷.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷.1次辐照后,空位胞内产生空位型位错圈,5次辐照则主要产生SFT;10次辐照后,空位胞内产生的空位簇缺陷主要是位错圈,局部区域也观察到了SFT缺陷,在产生SFT的附近区域具有很低的位错密度或者几乎无位错出现.HCPEB辐照产生的瞬间加热和冷却诱发了幅值极大且应变速率极高的应力,这一因素导致的整个原子平面的位移可能是SFT形成的原因所在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健	江苏大学材料科学与工程学院	19	107	5.0	9.0
2	关庆丰	江苏大学材料科学与工程学院	60	362	11.0	15.0
3	王雪涛	江苏大学材料科学与工程学院	6	81	5.0	6.0
4	邱冬华	江苏大学材料科学与工程学院	5	67	4.0	5.0
5	程秀围	江苏大学材料科学与工程学院	4	63	4.0	4.0
6	程笃庆	江苏大学材料科学与工程学院	4	73	4.0	4.0