强流脉冲电子束诱发单晶铜表层的缺陷结构

• 作者: 储金宇 关庆丰 朱健 王雪涛 程秀围 邱冬华 顾倩倩
• 来源期刊: 哈尔滨工程大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强流脉冲电子束 单晶铜 空位簇缺陷 应力 变形机制
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 533-536
• 分类号: O483
• 字数: 3017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7043.2010.04.021

摘要

为了研究高速变形对金属材料微观结构的影响,利用强流脉冲电子束技术对单晶铜进行了辐照,并通过透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面微结构进行了分析.实验结果表明,位于电子束中心区域的单晶铜表层微结构以位错胞为主;而距离电子束中心区域较远处区域表层微结构则由大量的空位簇缺陷组成,在该区域很少能够观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹.根据各自区域的微结构特征,对相应的变形机制进行了探讨.强流脉冲电子束辐照导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储金宇	江苏大学环境学院	160	1963	23.0	35.0
2	朱健	江苏大学材料科学与工程学院	19	107	5.0	9.0
6	关庆丰	江苏大学材料科学与工程学院	60	362	11.0	15.0
7	王雪涛	江苏大学材料科学与工程学院	6	81	5.0	6.0
8	邱冬华	江苏大学材料科学与工程学院	5	67	4.0	5.0
9	程秀围	江苏大学材料科学与工程学院	4	63	4.0	4.0
10	顾倩倩	江苏大学材料科学与工程学院	5	44	4.0	5.0