用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

• 作者: 丁武昌 俞育德 成步文 樊中朝 王启明 白安琪 胡炜玄 胡迪 苏少坚 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔阳极氧化铝模板 硅基纳米孔阵列结构 图形转移
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4997-5001
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.098

摘要

用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500-1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.