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Mg,Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究
Mg,Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究
作者:
党随虎
李春霞
韩培德
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
密度泛函理论
电子结构
p型掺杂
摘要:
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对闪锌矿结构CdS晶体及CdS:M(M=Mg,Cu)的几何结构、能带结构、电子态密度、集聚数和电荷密度分布进行了研究.对掺杂后体系的几何结构进行了优化计算,发现Mg和Cu原子掺入CdS后晶格常量均减少,晶格发生畸变.在此基础上研究了掺杂对体系电子结构的影响.结果表明,Mg,Cu掺入CdS都能提供较多空穴态,形成p型电导,并且Cu较Mg是更好的p型掺杂剂.
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文献信息
篇名
Mg,Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
密度泛函理论
电子结构
p型掺杂
年,卷(期)
2009,(6)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
4137-4143
页数
7页
分类号
O4
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.082
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李春霞
长江师范学院物理学与电子工程学院
18
45
4.0
6.0
2
韩培德
太原理工大学材料科学与工程学院
95
621
13.0
19.0
3
党随虎
长江师范学院物理学与电子工程学院
11
36
4.0
5.0
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研究主题发展历程
节点文献
密度泛函理论
电子结构
p型掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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