Mg掺杂CuAlO_2电子结构的第一性原理研究

• 作者: 何阿玲 冯庆 刘高斌 杨媛媛 王新强
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuAlO_2 电子结构 形成能 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 135-140
• 页数: 6页
• 分类号: O474|TN304.02
• 字数: 3412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.01.024

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了CuAlO_2晶体电子结构以及替位Mg杂质的特性. 结果表明,Mg替代Al原子时形成受主杂质能级,而替代Cu原子时形成施主杂质能级;同时也计算了它们的形成能,发现前者是吸热反应,而后者是放热反应. 另外,比较Mg替代Al与Mg替代Cu掺杂前后计算结果,发现前者费米能级变化不是很明显;而后者掺杂后费米能级明显向导带底移动. 研究表明掺杂可改变CuAlO_2的导电类型和电导强弱,此结果对实验具有很好的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨媛媛	重庆大学物理系	10	59	4.0	7.0
2	王新强	重庆大学物理系	46	305	11.0	12.0
3	何阿玲	重庆大学物理系	6	44	4.0	6.0
4	刘高斌	重庆大学物理系	37	310	12.0	15.0
5	冯庆	重庆大学物理系	16	184	9.0	13.0