TFT与MOSFET之比较分析

• 作者: 高粼泽
• 来源期刊: 内蒙古科技与经济
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET TFT-LCD
• 年，卷（期）: 2009,（14）
• 所属期刊栏目: 工业技术
• 页码范围: 78-78,80
• 页数: 2页
• 分类号: TP212∶TN303
• 字数: 2183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-6921.2009.14.041

摘要

文章对TFT与MOSFET的结构及工作原理等特性进行了比较分析,介绍了TFT与MOSFET在大型和超大型积体电路中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高粼泽		3	4	1.0	2.0