IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较

• 作者: 吴为敬 许志平 赖志成 颜骏
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO TFT IGZO TFT 性能比较 光电特性 阈值电压漂移
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 147-153
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20112602.0147

摘要

分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性.结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小.另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性.总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴为敬	华南理工大学材料科学与工程学院	24	74	4.0	7.0
2	颜骏	华南理工大学材料科学与工程学院	3	21	2.0	3.0
3	许志平	华南理工大学材料科学与工程学院	2	20	2.0	2.0
4	赖志成	华南理工大学材料科学与工程学院	2	20	2.0	2.0