不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响

• 作者: 向桂华 孙庆华 张耿 王娟 蔡君蕊 赵伟明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 IGZO膜 溅射气体 脉冲直流
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器材及材料
• 页码范围: 125-129
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.02.003

摘要

采用脉冲直流( Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性.通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响.实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/I(of)≥105.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张耿		3	13	2.0	3.0
5	王娟		2	5	2.0	2.0
6	向桂华		2	5	2.0	2.0
7	蔡君蕊		2	5	2.0	2.0
8	孙庆华		2	5	2.0	2.0