PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响

• 作者: 刘念 卢马才 张盛东 李佳育 谢华飞 陈书志
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 关键词: IGZO 结晶 磁控溅射 迁移率提高
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1021-1028
• 页数: 8页
• 字数: 4053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2019.067

摘要

在 G4.5 实验线上,采用射频磁控溅射法,通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数,以 XRD,HR-TEM,NBED 和 EDS 进行表征,研究制备结晶 IGZO 的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响.结果表明,当 IGZO 膜层厚度达到 3000 ? 以上时结晶效果明显,且不受其他因素影响;成膜功率对 IGZO 结晶现象有加强作用,功率越高越易结晶;成膜温度和氧气/氩气(O2/Ar)气体比例对 IGZO结晶影响不大;成膜完成后经过 600℃的退火处理可有效地促进 IGZO 的再结晶.通过优化 IGZO 成膜条件,制备出迁移率达 29.6 cm2/(V·s)的背沟道刻蚀结构 IGZO TFT,比非晶 IGZO TFT 提高约 3 倍,显著地改善了 IGZO TFT的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张盛东	北京大学信息工程学院	13	47	4.0	6.0
2	刘念		2	1	1.0	1.0
3	谢华飞	北京大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0
4	卢马才		1	0	0.0	0.0
5	陈书志		1	0	0.0	0.0
6	李佳育		2	0	0.0	0.0