分段退火工艺对PZT薄膜结晶和铁电性能的影响

• 作者: 万静 杨成韬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PZT薄膜 快速退火 结晶性能 铁电性能 形核 晶粒生长
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: TQ050.4
• 字数: 4454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.10.007

摘要

快速退火(RTA，rapid thermal annealing)工艺的升温速率高，可以在很短的时间(1 min)内升到PZT薄膜的晶化温度，缩短薄膜的晶化时间，有利于降低升温过程中氧化铅的挥发损失，减少过渡层Ti原子的扩散。但是因为热处理时间太短，RTA在控制薄膜残余应力和薄膜的取向生长方面存在着不足。设计分段RTA工艺来控制薄膜生长的结晶取向，采用XRD和SEM对PZT薄膜微观结构进行分析，结果表明：分段RTA工艺能够获得结晶性能和铁电性能良好的（111）择优取向的PZT薄膜，650℃是形核阶段最佳退火温度，600℃是晶粒生长阶段最佳温度，二次退火工艺可以促进薄膜晶化完全。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成韬	电子科技大学微电子与固体电子学院	67	255	8.0	12.0
2	万静	电子科技大学微电子与固体电子学院	23	52	4.0	5.0