退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响

• 作者: 丁爱丽 唐新桂 蒋力立
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸铅薄膜 溶胶–凝胶法 退火温度 铁电特性 介电特性
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 3-5
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.9|TM53
• 字数: 2526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.04.002

摘要

通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁爱丽	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	136	6.0	11.0
2	蒋力立	广东工业大学应用物理系	29	192	8.0	12.0
3	唐新桂	中国科学院上海硅酸盐研究所	8	50	3.0	7.0