掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究

• 作者: 刘雄飞 徐根 李伯勋
• 来源期刊: 郑州大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氮氟化非晶碳膜 表面结构 F-N曲线 重复性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 52-55
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6833.2010.01.013

摘要

采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氯流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氯氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘雄飞	中南大学物理科学与技术学院	63	517	13.0	21.0
2	李伯勋	中南大学物理科学与技术学院	4	12	1.0	3.0
3	徐根	中南大学物理科学与技术学院	23	247	9.0	15.0