纳米絮状碳膜的制备及场发射特性

• 作者: 崔雪菡 顾广瑞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振化学气相沉积 纳米絮状碳膜 场发射特性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.011

摘要

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH_4和H_2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜.利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH_4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响.通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数.通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH_4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响.随着CH_4浓度的增加,碳膜的阚值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔雪菡	延边大学理学院	3	3	1.0	1.0
2	顾广瑞	延边大学理学院	26	115	5.0	10.0