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摘要:
以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜,,分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与非品碳膜/硅基材两者之表面形貌、粗糙度、结构及键结等物理特性.并比较两者之电子场发射特性.研究结果显示:两者都拥有低起始电场及高电流密度,其中非品碳膜/铜纳米线/硅基材的场发射起始电压为3.75 V/μm优于非品碳膜/硅基材的15 V/μm,因此非晶碳膜/铜纳米线/硅基材更适用于场发射平面显示器(FED)之发射子,可应用于高稳定性及低成本之场发射平面显示器之研发.
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内容分析
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文献信息
篇名 阴极电弧法定向生长的铜纳米线上沉积非晶碳膜及其场发射特性
来源期刊 新型炭材料 学科 工学
关键词 场发射 非晶碳膜 铜纳米线(CuNWs) 阳极氧化铝(AAO)
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 97-101
页数 5页 分类号 TB333
字数 957字 语种 中文
DOI 10.1016/S1872-5805(08)60040-2
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶忠信 国立云林科技大学工程科技研究所 3 10 2.0 3.0
5 汪岛军 国立云林科技大学工程科技研究所 3 10 2.0 3.0
6 黄柏仁 国立云林科技大学工程科技研究所 3 10 2.0 3.0
10 谭振台 国立云林科技大学工程科技研究所 1 7 1.0 1.0
11 宋健民 1 7 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
场发射
非晶碳膜
铜纳米线(CuNWs)
阳极氧化铝(AAO)
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
新型炭材料
双月刊
1007-8827
14-1116/TQ
16开
太原市165信箱
1985
chi
出版文献量(篇)
1787
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3
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28123
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