GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响

• 作者: 徐坷 徐江涛
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs阴极 铯源质量 成像 器件 光电发射
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 68-70
• 分类号: TN383
• 字数: 2410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2010.06.019

摘要

为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了艳源质量对阴极性能产生影响的试验研究.结果表明,激活艳源纯度、装配结构、艳源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大.艳源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因.在艳源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对艳源的除气工艺,通过对艳源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐江涛		7	7	2.0	2.0
2	徐坷		1	2	1.0	1.0