立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

• 作者: 常永明 张进成 李志明 毕志伟 薛军帅 许晟瑞 郝跃 陈炽
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 感应加热 热分析 基座
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 1072-1077
• 分类号: TB43
• 字数: 2051字
• 语种: 中文

摘要

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.