残余碳对碳化硅陶瓷光学表面加工性能的影响

• 作者: 刘学建 刘桂玲 陈健 黄政仁
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 残余碳 光学表面加工 反射率
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文，中文
• 页码范围: 1523-1526
• 分类号: TH16
• 语种: 中文

摘要

为深入了解碳化硅陶瓷的光学表面加工性能,采用常压固相烧结法制备了碳化硅陶瓷,在保证致密度的前提下,通过改变碳的含量,研究了残余碳对SiC陶瓷抛光面的表面质量和光学性能的影响。研究发现,C的质量含量为3%～7%时,SiC陶瓷抛光表面的RMS（root mean square）粗糙度均约为2nm。当C含量为3%～6%时,SiC陶瓷抛光表面在400～750nm波段的全反射率、漫反射率和镜面反射率无明显变化;当C含量升至7%时,全反射率稍有降低,漫反射率稍有上升,镜面反射率稍有降低。其原因可能是过多的残余碳引起SiC陶瓷的折射率下降和产生光学散射,最终造成镜面反射率降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学建	中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心	54	555	16.0	20.0
2	陈健	中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心	115	1360	17.0	34.0
3	刘桂玲	中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心	4	9	2.0	3.0