非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述

• 作者: 何家玉 吴杰 孙常鸿 戴宁 王奇伟 胡淑红
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb 探测器 非致冷
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: "微系统集成与应用"专题
• 页码范围: 11-18
• 页数: 8页
• 分类号: TN211
• 字数: 6634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2010.01.002

摘要

作为一种新兴的红外光电材料,InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注.InAsSb探测器的优势在于:对中长波红外波段的探测而言,其在室温下也具有很高的探测率,同时InAsSb探测器具有比HgCdTe探测器更高的响应速度.这些优势使得InAsSb探测器可制成非致冷型红外探测器,容易实现仪器的小型化,大大降低成本,在某些场合成为能够取代HgCdTe的理想材料.文章分别对InAsSb探测器国内和国外的研究近况作一简要评述,从而显示出在中长波红外波段InAsSb材料广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何家玉	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	10	2.0	3.0
2	王奇伟	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	6	2.0	2.0
3	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	55	315	11.0	15.0
4	吴杰	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	76	1157	19.0	33.0
5	胡淑红	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	10	49	4.0	7.0
6	孙常鸿	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	4	1.0	2.0