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用于先进存储技术的互连边缘处的可靠性
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摘要：
随着元件尺寸的不断缩小和新材料的不断出现,DRAM和闪存芯片中互连的绝缘可靠性需要重新评估.刻线边缘粗糙度(line edge roughness,LER)和通路的非直线性增加了金属线之间的电场.
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现代材料动态
主办单位：
北京有色金属研究总院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
N内资准字：2001—L 0103号
开本：
出版地：
北京新街口外大街2号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
59
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