存储测试系统中FLASH的存储可靠性技术研究

• 作者: 王代华 王晓楠 高阳
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: NAND FLASH 无效块管理 存储测试 铁电存储器
• 年，卷（期）: 2017,（18）
• 所属期刊栏目: 电子元器件设计与应用
• 页码范围: 131-134,138
• 页数: 5页
• 分类号: TN911-34|TM932
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2017.18.037

摘要

NAND FLASH存储器具有非易失性、存储容量大和读写速度快等优点,在存储测试领域的应用越来越广泛.由于NAND FLASH存储器中不可避免会出现无效块,传统的管理方法是将无效块映射表存放在FLASH存储器中,可靠性低,对数据存储速度和可靠性都会造成不利影响.针对这些问题,提出了基于外置存储数据位的无效块快速检索架构,将无效块映射表存放在可靠性高的铁电存储器中;引入计算机网络中的滑动窗口原理,建立了基于滑动窗口的无效块预匹配机制,在不影响FLASH存取速度的情况下可无时延地生成有效块地址.经分析和论证,这种架构对NAND FLASH存储数据的可靠性和存取速度有很大的提升,提高了存储测试系统的整体性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高阳	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	14	112	6.0	10.0
2	王代华	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	48	614	12.0	24.0
3	王晓楠	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	6	10	1.0	3.0