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摘要:
该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法.实验结果表明,150 ℃储存48 h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础.
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表面张力
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响
来源期刊 压电与声光 学科 工学
关键词 CrSi电阻 激光修调 温度系数
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 821-822,829
页数 分类号 TN804
字数 1227字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-2474.2010.05.030
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗山 2 3 1.0 1.0
5 向培胜 驻重庆气体压缩机厂军事代表室 1 2 1.0 1.0
6 胡剑书 驻重庆气体压缩机厂军事代表室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
CrSi电阻
激光修调
温度系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
压电与声光
双月刊
1004-2474
50-1091/TN
大16开
重庆市南岸区南坪花园路14号
1979
chi
出版文献量(篇)
4833
总下载数(次)
4
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