立方CdHgSe2电子结构和光学性质的第一性原理计算

• 作者: 冯丽萍 刘其军 刘正堂 许冰
• 来源期刊: 中山大学研究生学刊：自然科学与医学版
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 电子结构 光学性质 立方CdHgSe2
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 82-89
• 页数: 8页
• 分类号: O484.41

摘要

本文采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了立方CdHgSe2的电子结构和光学性质。计算结果表明立方CdHgSe2是直接带隙半导体，禁带宽度为0．03eV，优化后的结构参数与其他文献结果基本一致。计算了立方CdHgSe2的复介电常数、复折射率、反射率、吸收系数、复光电导率和损失函数。通过对比发现，由于半导体合金材料的结构，导致立方CdHgSe2在（100）和（010）方向上具有光学各向异性。由于这是第一次理论预言立方CdHgSe2的光学性质，因此需要进一步的实验来证实。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
2	冯丽萍	西北工业大学材料学院	45	159	7.0	9.0
3	刘其军	西北工业大学材料学院	27	69	5.0	7.0
4	许冰	西北工业大学材料学院	10	52	5.0	7.0