LTO3制式磁头的研制

• 作者: 邓俊彦 邓沛然
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: LTO3制式 各向异性磁致电阻磁头 原始读错误率 NiFe CoZrMo
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 58-62
• 分类号: TQ587.5
• 字数: 2982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2010.05.010

摘要

LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,自推向市场以来,不断地推出新产品,并成为这个市场的主流产品.LTO3是第3代LTO产品,磁头为各向异性磁致电阻磁头(AMR),本文通过对磁头的关键参数进行优化设计,如磁致电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo和屏蔽层的参数,获得了良好的性能,写信号的磁道磁场均匀,写电流、Owerwrite、信号波形不对称度、输出电压和磁头的原始读错误率(Raw Read Error Rate)等关键测试参数均能满足要求,产品已批量生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓俊彦	东莞理工学院城市学院实验中心	10	23	3.0	4.0
2	邓沛然	上海工程技术大学材料工程学院	31	61	5.0	6.0