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摘要:
采用冷等离子弧在大气压下以六甲基二硅氧烷为单体制备SiO_x超疏水薄膜,研究不同工艺参数对薄膜的结构性能影响.通过傅里叶红外光谱(FTIR)对SiO_x薄膜进行了结构分析、通过原子力显微镜(AFM)和数字光学显微镜分析了SiO_x薄膜的表面形貌、通过接触角仪测试了所沉积的SiO_x薄膜亲/疏水性.在较为详细的研究冷等离子弧制备工艺参数对薄膜的影响后,如基片高度、单体输入量、沉积时间等,我们得到,在基片高度为10cm、单体输入量为90mL·min-1、沉积时间为2min时,可以制备出接触角为160°以上的SiO_x超疏水表面.
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文献信息
篇名 大气压下冷等离子弧制备SiO_x涂层超疏水表面
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 化学
关键词 冷等离子体弧 超疏水表面 大气压 SiO_x薄膜
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 68-71
页数 4页 分类号 O539|O646.9
字数 2363字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.01.14
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈强 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室 125 542 10.0 17.0
2 刘福平 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室 75 370 10.0 16.0
3 周振 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室 4 6 2.0 2.0
4 任兆杏 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
冷等离子体弧
超疏水表面
大气压
SiO_x薄膜
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