等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

• 作者: 刘杰 夏洋 李超波 杨威风 汪明刚
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体浸没注入 超浅结 感性耦合等离子体
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 370-373
• 分类号: O539
• 字数: 2544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2010.04.017

摘要

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统.该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连.探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%.硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	218	1905	24.0	36.0
2	夏洋	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
3	汪明刚	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	8	31	3.0	5.0
4	杨威风	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	5	14	2.0	3.0
5	李超波	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	31	120	7.0	9.0