太阳能级多晶硅中痕量金属杂质含量的ICP-MS测定

• 作者: 何秀坤 刘志娟 曹全喜 褚连青
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: ICP-MS 多晶硅 金属杂质
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 40-42
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.08.011

摘要

研究了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS),测定太阳能级电池用硅材料中Al,Fe,Ca,Mg,Cu,Zn,Cr,Ni和Mn等痕量元素的分析方法.考察测量过程中的质谱干扰及基体元素产生的基体效应,讨论了可能的消除方法,考察了内标元素Sc,Y,Rh等对基体抑制效应的补偿.采用Sc和Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移,在测定中取得良好的效果.样品的加标回收率为90.0%～107.1%,相对标准偏差(RSD)0.9～3.4%,检出限为0.030～0.500 μg/L.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	刘志娟	西安电子科技大学技术物理学院	3	19	3.0	3.0
3	褚连青	工业和信息化部专用材料监督检测中心	1	13	1.0	1.0
4	何秀坤	工业和信息化部专用材料监督检测中心	1	13	1.0	1.0