抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究

• 作者: 孙法 席珍强 张亚萍 张瑞丽 张秀芳 杜红文
• 来源期刊: 浙江理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si(100)单晶片 表面粗糙度 温度 NaOH浓度
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 283-286
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3851.2010.02.024

摘要

采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si(100)单晶片表面粗糙度的影响,结果表明:低温下,硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大,是造成硅片表面粗糙度大的主要原因;而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响,局部腐蚀速率差减小,硅片表面较为平整.另外,硅片在质量分数为20%～30%的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小,是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快,而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席珍强	浙江理工大学材料工程中心	36	71	5.0	7.0
2	杜红文		30	139	7.0	11.0
3	张瑞丽	浙江理工大学材料工程中心	5	19	2.0	4.0
4	张亚萍	浙江理工大学材料工程中心	10	35	4.0	5.0
5	张秀芳	浙江理工大学材料工程中心	6	23	3.0	4.0
6	孙法	浙江理工大学材料工程中心	6	24	3.0	4.0