烧结温度对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响

• 作者: 孙国亮 郑文伟
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 物理学
• 关键词: 共沉淀法 ATO 烧结温度 粉体电阻率 光学性能
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 工程师园地
• 页码范围: 51-54
• 分类号: O472
• 字数: 2640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1124.2010.03.015

摘要

采用共沉淀法合成了ATO半导体颜料的前驱体,前驱体经过烧结获得半导体颜料,通过XRD、EDS等手段对颜料进行表征,测试了不同烧结温度下颜料粉体电阻率,研究了烧结温度对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响.研究结果表明,烧结温度对颜料的粉体电阻率和涂层光学性能影响明显,当烧结温度为1300℃时,制备的颜料粉体电阻率为15Ω·cm,涂层红外发射率仪为0.71.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑文伟	国防科技大学航天与材料工程学院	84	1014	18.0	27.0