B/N掺杂对双层石墨烯电子特性影响的第一性原理研究

• 作者: 孔鹏 李星海 王菡 王薇 程剑 陈宗正
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 双层石墨烯 B/N掺杂 电子特性 第一性原理
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 775-780
• 分类号: O413|O472+.4|O481.1
• 字数: 2940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.04.028

摘要

利用平面波超软赝势方法研究了B/N原子单掺杂和共掺杂对双层石墨烯电子特性的影响.对掺杂双层石墨烯进行结构优化,并计算了能带结构、态密度、分波态密度等.分析表明,层间范德瓦尔斯相互作用对双层石墨烯的电子特性有比较明显的影响;B/N原子单掺杂分别对应p型和n型掺杂,会使掺杂片层的能带平移,使得体系能带结构产生较大分裂;双层掺杂的石墨烯能带结构与掺杂原子的相对位置和距离有关,对电子特性有明显的调控作用.其中特别有意义的是,B/N双层共掺杂在不同位置情况下会得到金属性或禁带宽度约为0.3 eV的半导体能带.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王薇	华中科技大学电子科学与技术系	53	264	7.0	13.0
2	李星海	华中科技大学电子科学与技术系	6	14	2.0	3.0
3	程剑	华中科技大学电子科学与技术系	4	28	2.0	4.0
4	孔鹏	华中科技大学电子科学与技术系	16	139	7.0	11.0
5	王菡	华中科技大学电子科学与技术系	3	18	2.0	3.0
6	陈宗正	华中科技大学电子科学与技术系	2	12	1.0	2.0