浮栅型单电子存储器的等效电路模型

• 作者: 周少华 晏敏 曾云 曾健平 熊琦
• 来源期刊: 宇航计测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路 集总电容 浮栅型硅量子点 单电子存储器
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 54-57,18
• 分类号: TN43
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7202.2010.04.012

摘要

在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流.利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态.仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的"读"和"写"状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾健平	湖南大学物理与微电子科学学院	90	672	12.0	22.0
2	晏敏	湖南大学物理与微电子科学学院	61	635	13.0	23.0
3	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
4	周少华		22	121	7.0	10.0
8	熊琦		24	49	4.0	6.0