硅微通道阵列光电化学腐蚀中通道尺寸控制技术

• 作者: 付申成 熊峥 王国政 王洋 王蓟 秦旭磊 端木庆铎
• 来源期刊: 长春理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高长径比 硅微通道阵列 光电化学腐蚀 诱导坑 暗电流密度
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 59-62
• 分类号: TN144
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2010.03.017

摘要

高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔.本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术.给出了n型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,研究了暗电流密度与腐蚀时间关系及对腐蚀的影响.根据暗电流及JPS的变化规律调整腐蚀电流,实现了对孔径的控制,制备出通道深度为300 μm.长径比为100的硅微通道阵列结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蓟	长春理工大学理学院	22	96	6.0	8.0
2	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
3	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
4	熊峥	长春理工大学理学院	1	18	1.0	1.0
5	秦旭磊	长春理工大学理学院	20	61	5.0	7.0
6	付申成	长春理工大学理学院	15	78	5.0	8.0
7	王洋	长春理工大学理学院	13	48	4.0	6.0