二次退火制备III-V族半导体量子点

• 作者: 刘峰奇 孟宪权 朱振华 王占国 肖虎 金鹏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二次退火 量子点 离子注入
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 747-750,765
• 分类号: TN304.051
• 字数: 2227字
• 语种: 中文

摘要

利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟宪权	武汉大学物理科学与技术学院	18	45	4.0	5.0
3	朱振华	武汉大学物理科学与技术学院	4	2	1.0	1.0
4	刘峰奇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	25	171	8.0	12.0
5	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
6	肖虎	武汉大学物理科学与技术学院	4	2	1.0	1.0
7	金鹏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	29	262	7.0	16.0