HfxTi1-xO2电子结构与光学性质的第一性原理研究

• 作者: 宋思超 段国玉 王松有 贾瑜 魏昌东
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高k材料 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 264-267
• 分类号: O472+.3
• 字数: 2917字
• 语种: 中文

摘要

利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,研究了金红石结构TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子后形成的化合物HfxTi1-xO2的几何结构、电子结构和光学性质.计算结果表明,化合物HfxTi1-xO2都是具有间接带隙的半导体,Hf的替代使TiO2的禁带宽度有不同程度的增加,静态光学介电常数减小,但均高于SiO2,因此能够满足微电子行业对于高k材料的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾瑜	郑州大学物理工程学院	54	123	6.0	7.0
2	王松有	复旦大学光科学与工程系	26	104	5.0	9.0
3	段国玉		8	11	2.0	3.0
4	宋思超	复旦大学光科学与工程系	1	1	1.0	1.0
5	魏昌东	复旦大学光科学与工程系	1	1	1.0	1.0