极紫外投影光刻光学系统

• 作者: 王丽萍
• 来源期刊: 中国光学与应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: 极紫外光刻 投影光学系统 照明光学系统 光学设计
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 452-461
• 分类号: TN305.7
• 字数: 5000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1531.2010.05.006

摘要

极紫外光刻(EUVL)是半导体工业实现32～16 nm技术节点的候选技术,而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件,它主要由照明系统和微缩投影物镜组成.本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性;总结了EUVL光学系统设计原则,分别综述了EUVL投影光学系统和照明光学系统的设计要求;描述了EUVL投影曝光系统及照明系统的设计方法;重点讨论了适用于22 nm节点的EUVL非球面六镜投影光学系统,指出了改善EUVL照明均匀性的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丽萍	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	31	296	8.0	17.0