氮化硅的氧化机制研究

• 作者: 俞继军 姜贵庆 欧东斌 陈思员
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: 抗氧化 氮化硅 转捩温度
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 计算材料学
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: V2
• 字数: 3071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.007

摘要

研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈思员		20	67	4.0	7.0
2	姜贵庆		14	200	7.0	14.0
3	俞继军		24	97	5.0	9.0
4	欧东斌		29	107	7.0	9.0