基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析

• 作者: 刘雁飞 束林 葛芦生 陈宗祥
• 来源期刊: 电力自动化设备
• 学科: 工学
• 关键词: 电流源驱动 MOSFET 损耗分析 Buck变换器 高频 低压大电流
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 50-53
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-6047.2010.10.011

摘要

对于以电压源方式驱动功率MOSFET管,随着开关频率的提高,其开关损耗将显著增加.以此为切入点对电流源驱动功率MOSFET管进行了研究.在对电流源驱动MOSFET管原理性分析的基础上,通过详细地分析功率MOSFET管的开关过程,建立MOSFET管开关损耗模型,求解得到漏极电流、漏源电压与栅源电压之间关系,证明了电流源驱动在减少开关时间和开关损耗上的优越性.在开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压和电流分别为1.3 V和25 A的低压大电流实验平台上进行了验证,实验结果证明了所提出的MOSFET管损耗模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛芦生	安徽工业大学电力电子与电力传动重点实验室	75	349	10.0	14.0
2	刘雁飞	安徽工业大学电力电子与电力传动重点实验室	11	118	7.0	10.0
3	陈宗祥	安徽工业大学电力电子与电力传动重点实验室	22	106	6.0	10.0
4	束林	安徽工业大学电力电子与电力传动重点实验室	2	40	2.0	2.0