基于寄生参数的功率MOSFET数学建模及损耗分析

• 作者: 李国丽 秦昌伟 程龙 胡存刚 陈权
• 来源期刊: 华东理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 寄生参数 等效电路 开关损耗
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 740-745
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3004字
• 语种: 中文

摘要

为了精确地描述功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的开关特性,建立了一种基于MOSFET的寄生参数(Miller电容和寄生电感)的数学模型.该模型中采用拟合法分别构建Miller电容的数学表达式和转移特性的数学表达式,并详细推导了开关过程中电压和电流的数学表达式.针对关断后出现的电压、电流振荡建立的物理等效电路进行了分析.越精确的电压和电流数学表达式越能准确地反映功率MOSFET的开关损耗.仿真实验验证了本文数学分析模型和物理等效电路的正确性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈权	安徽大学电气工程与自动化学院	34	577	9.0	24.0
5	程龙	安徽大学电气工程与自动化学院	1	17	1.0	1.0
9	李国丽	安徽大学电气工程与自动化学院	42	222	9.0	13.0
13	胡存刚	安徽大学电气工程与自动化学院	39	139	7.0	10.0