高质子电导率的介孔SiO2的合成

• 作者: 付珍 方军 邹智毅 陈德海 魏小兰
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 学科: 化学
• 关键词: 质子导电性 介孔SiO2 聚乙烯吡咯烷酮 模板剂
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1007-1011
• 分类号: O6
• 字数: 4175字
• 语种: 中文

摘要

为提高SiO2的质子传导能力,在硫酸介质中,以碱性的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为模板剂,用溶胶-凝胶法合成了高导电性的介孔SiO2(m-S-SiO2).N2-吸附脱附结果显示,m-S-SiO2的BET比表面积为588m2/g,BJH平均孔径为6.0nm.交流阻抗测定结果显示,25℃和100%相对湿度下,水洗除去游离酸后m-S-SiO2的质子电导率高达5.9×10-2S/cm,与Nafion膜的电导率相当,比相同条件下用中性EO20PO70EO20作模板制备的介孔SiO2的高出1个数量级.在相同质子浓度下,用磷酸、盐酸和硝酸代替硫酸,以PVP为模板合成的介孔m-P-SiO2,m-Cl-SiO2和m-N-SiO2样品的电导率分别为4.3×10-2、9.9×10-4和3.0×10-4S/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏小兰	华南理工大学化学与化工学院	38	417	11.0	20.0
2	邹智毅	华南理工大学化学与化工学院	10	38	3.0	6.0
3	付珍	华南理工大学化学与化工学院	4	6	2.0	2.0
4	方军	厦门大学化学与化工学院化学与生物工程系	3	4	1.0	2.0
5	陈德海	华南理工大学化学与化工学院	2	3	1.0	1.0