AlN能带及态密度的密度泛函理论研究

• 作者: 刘德政 王腊节 聂招秀
• 来源期刊: 四川理工学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN 能带 能隙 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 411-413
• 分类号: O73
• 字数: 2246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1549.2010.04.013

摘要

文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了AlN晶体的能带结构和态密度曲线.研究表明,AlN的价带由-15.3eV～-12.3eV的下价带和-6.2eV～0eV的上价带区组成,价带顶出现三个子带:简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带(距带顶0.2eV);导带主要是由Al的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测AlN价带空穴具有大的有效质量; AlN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德政	南昌大学共青学院	8	8	2.0	2.0
2	王腊节	南昌大学共青学院	11	12	2.0	2.0
3	聂招秀	重庆大学数理学院	8	15	2.0	3.0