SiB4微粉在化学气相渗透SiC过程中的变化

• 作者: 刘永胜 张立同 成来飞 曾庆丰 童长青
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: SiB4微粉 SiC 化学气相渗透 氧化
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 44-47
• 分类号: V4
• 字数: 2152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2010.03.011

摘要

采用SEM、EDS、XRD分析了SiB4微粉化学气相渗透(CVI)SiC后的组成和结构,并用热力学计算研究了SiB4微粉在CVI SiC过程中变化的原因.结果表明:在CVI SiC过程中SiB4微粉不发生分解,但在近表层处氧化生成SiO2和B2O3.用SiB4浆料浸渍结合CVI工艺对C/SiC基体进行自愈合改性时,难以形成均匀致密的基体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	张立同	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	248	2867	24.0	42.0
3	童长青	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	11	26	3.0	4.0
7	曾庆丰	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	15	97	6.0	9.0
8	刘永胜	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	35	205	9.0	12.0