ZnO基过渡金属掺杂的磁性来源

• 作者: 陈学梅
• 来源期刊: 合肥师范学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 ZnO薄膜 过渡金属掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 25-28
• 分类号: O482.5
• 字数: 4224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2273.2010.06.010

摘要

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究.综述了TM掺杂ZnO的磁性起源的三种理论解释,并且调研了几种不同的TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈学梅	合肥师范学院物理与电子工程系	4	9	1.0	3.0