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摘要:
采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制.结果表明:在退火温度低于500 ℃时,晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大,纳米晶内部无晶格缺陷;退火温度高于500 ℃时,晶粒通过相互粘结的方式而长大.晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 氧化锡纳米晶的合成与生长
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 氧化锡纳米晶 位错 水热法
年,卷(期) 2010,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 912-916
页数 分类号 TB34
字数 3109字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 庄永龙 安徽大学现代实验技术中心 19 121 6.0 10.0
2 朱克荣 安徽大学物理与材料科学学院 13 44 5.0 6.0
6 戚梦瑶 安徽大学物理与材料科学学院 4 13 2.0 3.0
7 徐加荣 安徽大学物理与材料科学学院 2 6 1.0 2.0
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氧化锡纳米晶
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水热法
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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