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氧化锡纳米晶的合成与生长
氧化锡纳米晶的合成与生长
作者:
庄永龙
徐加荣
戚梦瑶
朱克荣
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氧化锡纳米晶
位错
水热法
摘要:
采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制.结果表明:在退火温度低于500 ℃时,晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大,纳米晶内部无晶格缺陷;退火温度高于500 ℃时,晶粒通过相互粘结的方式而长大.晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生.
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文献信息
篇名
氧化锡纳米晶的合成与生长
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
氧化锡纳米晶
位错
水热法
年,卷(期)
2010,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
912-916
页数
分类号
TB34
字数
3109字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
庄永龙
安徽大学现代实验技术中心
19
121
6.0
10.0
2
朱克荣
安徽大学物理与材料科学学院
13
44
5.0
6.0
6
戚梦瑶
安徽大学物理与材料科学学院
4
13
2.0
3.0
7
徐加荣
安徽大学物理与材料科学学院
2
6
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1991(1)
参考文献(0)
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氧化锡纳米晶
位错
水热法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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