纳米尺度延性域干切削KDP晶体的无粘屑研究

• 作者: 彭小强 戴一帆 郑子文 陈浩锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: KDP晶体 延性域 真空抽屑 干切削
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1104-1108
• 分类号: TH161
• 字数: 1915字
• 语种: 中文

摘要

为了避免使用切削液及其相应清洗工艺对KDP晶体表面产生雾化、引入杂质等降低晶体抗激光损伤阈值的不利因素,采用干切削技术对KDP晶体进行超精密切削.在干切削KDP晶体工艺中所遇到的难点是切削屑片易粘附已加工表面,由此产生屑片粘附点难清洗、易雾化等问题.本文提出了基于真空抽屑装置干切削KDP晶体的新工艺,重点解决了干切削工艺下KDP晶体表面粘屑现象,实现了无需清洗、无杂质的加工表面.在选择延性域切削参数条件下,取得了表面粗糙度为2.69 nm(Ra)的无粘屑、超光滑表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴一帆	国防科技大学机电工程与自动化学院	109	1657	23.0	33.0
2	郑子文	国防科技大学机电工程与自动化学院	18	173	9.0	12.0
3	彭小强	国防科技大学机电工程与自动化学院	34	661	15.0	25.0
4	陈浩锋	国防科技大学机电工程与自动化学院	6	62	5.0	6.0