基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护.通过与MOSFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护电路,快速降低MOSFET栅源极电压至其开启电压附近,以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控,设计电容放电时间,即可按一定速度关断功率管.仿真和实验结果表明,降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断MOSFET并在关断过程中起到限流、抑制di/dt、增强抗干扰的作用.
推荐文章
SiC MOSFET驱动技术及其在电力系统中的应用
SiC MOSFET
门极驱动
过电流保护
电力电子变压器
高压直流输电
异质栅MOSFET热载流子效应的研究
异质栅
MOSFET
热载流子效应
MEDICI
MOSFET隔离型高速驱动电路
MOSFET驱动
脉冲变压器
高速光耦
MOSFET技术在海航脉冲发生器中的应用
脉冲发生器
MOSFET
驱动电路
控制中心
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 降栅压技术在MOSFET驱动中的应用
来源期刊 电力系统及其自动化学报 学科 工学
关键词 金属氧化物半导体场效应管 降栅压 固态功率控制器 短路保护 驱动电路
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 1-4,53
页数 5页 分类号 TM581
字数 2857字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-8930.2010.01.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王莉 南京航空航天大学自动化学院 98 885 16.0 27.0
2 杨冬平 南京航空航天大学自动化学院 1 11 1.0 1.0
3 江登宇 南京航空航天大学自动化学院 1 11 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (5)
共引文献  (5)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (11)
同被引文献  (17)
二级引证文献  (17)
1998(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2000(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2001(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2004(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2007(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2010(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2013(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2014(4)
  • 引证文献(4)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2016(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2017(4)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(2)
2018(5)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(5)
2019(5)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(3)
2020(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
金属氧化物半导体场效应管
降栅压
固态功率控制器
短路保护
驱动电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电力系统及其自动化学报
月刊
1003-8930
12-1251/TM
大16开
天津市南开区天津大学电气与自动化工程学院
1989
chi
出版文献量(篇)
3958
总下载数(次)
6
总被引数(次)
53050
相关基金
航空科学基金
英文译名:
官方网址:http://www.chinaasfc.cn/file_show.asp?LanMuID=GZZD0100
项目类型:面上项目
学科类型:
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导