采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计

• 作者: 孙博韬 尤云霞 张万荣 沈珮 王任卿 谢红云 陈亮 黄毅文
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 阻抗匹配 噪声匹配 噪声抵消技术 SiGe工艺
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 456-459
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.014

摘要

宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配.通常,这两个指标是耦合在一起的.现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度.提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦.基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.放大器的工作带宽为0.8-2.4 GHz,增益在 16 dB以上,噪声系数小于3.25 dB, S11在-17 dB以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尤云霞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	19	3.0	4.0
2	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
3	谢红云	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
4	沈珮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	18	85	6.0	7.0
5	孙博韬	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	16	2.0	4.0
6	陈亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	61	5.0	6.0
7	黄毅文	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	16	2.0	4.0