IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析

• 作者: 毛鹏 许泽刚 谢少军
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 损耗分析 模型 开关暂态 绝缘栅双极型晶体管 波形拟合
• 年，卷（期）: 2010,（15）
• 页码范围: 40-47
• 页数: 8页
• 分类号: TM85
• 语种: 中文

摘要

总结了绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的功率管及反并联二极管开关暂态过程的主要特征,建立了相应的开关模型,并在此基础上得到了损耗分析模型.建立的开关模型充分考虑了导通电流对开关暂态过程的影响,利用该模型可准确再现任意一个开关周期的开关暂态电压、电流波形,为功率变换器的损耗分析奠定了基础.该模型不仅适用于DC/DC变换器,而且适用于相邻开关周期内开关管导通电流不相等的变换器,如AC/DC和DC/AC变换器.采用Simulink/Stateflow对开关暂态过程及损耗模型进行了仿真,仿真与实验结果对比证实了所提出的开关模型和损耗模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢少军		210	3748	32.0	52.0
2	许泽刚		6	87	5.0	6.0
3	毛鹏		6	109	5.0	6.0