基于半导体开关和磁开关的全固态脉冲电源

• 作者: 刘克富 王冬冬 邱剑
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 全固态 Marx发生器 IGBT 脉冲陡化 磁开关
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 730-734
• 分类号: TN25
• 字数: 2951字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102204.0730

摘要

利用磁开关来改善全固态Marx发生器的脉冲上升沿,并构建出一套脉冲电源.该套脉冲源包括基于IGBT半桥模块的Marx发生器和由磁开关与锐化电容构成的脉冲陡化电路.该电源用原边一匝的脉冲变压器为IGBT提供驱动信号,并且原副边绕组均采用同轴线以屏蔽电磁干扰;在门极采用无源过流保护的方法,以防止负载短路对IGBT放电开关造成损坏.实验结果表明:在电压10 kV,电流170 A的情况下,脉冲前沿由1.5 μs压缩到了200 ns,同时IGBT的开通损耗由原来的10 mJ降到不足1 mJ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘克富	复旦大学电光源研究所	23	179	8.0	13.0
2	王冬冬	复旦大学电光源研究所	4	54	3.0	4.0
3	邱剑	复旦大学电光源研究所	10	99	5.0	9.0