碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究

• 作者: 介万奇 傅莉 孙叶 王涛 罗林
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碲铟汞 腐蚀坑 位错 电子背散射衍射 双交滑移
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1853-1856
• 分类号: TN304.2|O77
• 字数: 2655字
• 语种: 中文

摘要

通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究.实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角.进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王涛	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	100	658	13.0	21.0
3	傅莉	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	75	535	14.0	20.0
4	罗林	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	6	7	2.0	2.0
5	孙叶	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	4	2.0	2.0