碲铟汞晶体的生长研究

• 作者: 介万奇 王领航 董阳春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 253-255
• 页数: 3页
• 分类号: O78
• 字数: 1449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.002

摘要

以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体.X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王领航	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	11	41	5.0	5.0
3	董阳春	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	4	11	2.0	3.0